Yanlış anlamadıysam "hum" dan bahsediyorsunuz. Hum un temel nedeni şasi döngüsüdür. Bu döngü aynı zamanda modülasyon yaparak sesi bozar. Bas performansının entegreyle bir ilgisi yok. Beslemeyle ilgili olabileceği gibi, geri besleme hattıyla ya da giriş filtresiyle (RC) alakası olabilir.
Şasileme bağlantınıza gelince, sinyal şasisinden besleme şasisine yapılan RC bağlantısına şasi vinci denir. Ancak kullandığın değerler anormal derecede yüksek. Bu bağlantı genellikle 1R/470nF paralel şeklinde yapılır. Aksi takdirde, sinyal şasisi güç şasisine göre yüksekte kalacağı için giriş eşlenikleri dengesiz çalışır, bunun sonucunda DC offset ve asimetrik kesim oluşur.
MOSFET in kendi özelliği yüzünden soundu BJT den farklıdır. Bu anlamda doğal olarak overture serisi entegrelerden de farklı olacaktır. Bu fark iyilik ya da kötülük bakımından değerlendirilemez.
Tümleşik (power opamp) bir yapıyla ayrışık (MOSFET veya BJT discrete) bir yapıyı şu şekilde mukayese edebiliriz;
- Tümleşik yapı tek bir kırmıktır, termal etkiler yapı içerisindeki tüm bileşenler için aynı oranda etkilidir. Çıkış transistörlerinin meydana getirdiği ısı artışı, bunları süren ve onları sürenleri de süren eşleniklere de etki eder. Bu yapıları besleyen sabit akım kaynakları da aynı termal etkilere maruz kalır. Dolayısıyla "termal kaçak" ihtimali 0 dır. Bias akımı ve gerilimi sürekli dengeli ve kontrol altındadır. Oysa ayrışık yapıda, çıkış transistörlerinin maruz kaldığı termal baskı bunları süren transistörler tarafından algılanmaz. Eğer çok iyi bir termal izleme devresi kurulmamışsa, çıkış eşleniklerinin bias noktası zamanla ısısal etkilerden kaymaya başlar. Sonuçta DC offset, harmonik distorsiyonun artışı, termal gürültü, akım gürültüsü, ve dengesizlik sendromları oluşur. Soğuk bir ayrışık amplifikatörle ısınmış bir ayrışık amplifikatör arasında ciddi sound farkı oluşabilir. Bu da, yazla kış, açılışla kapanış arasında fark demektir. Hiend/HIFI jargonunda bu tür cihazlara ait bir "tanımlama" yoktur!
- Tümleşik yapı içerisindeki bütün bileşenler, aynı moleküler yapıdan oluşturulmuştur. Bu yapı belki kapasitif etkilere de yok açmaktadır. Ancak bunun kompanzasyonu da yapılmıştır. Kırmık üzerindeki tüm transistörler doğal olarak "match" dır. Bu, dirençler, indüktanslar ve küçük kapasitörler için de geçerlidir. Ayrıca yapı içerisindeki sabit akım kaynakları neredeyse ideal sabit akım kaynağıdır. Zaten devre açılımlarında bu tür alt devrecikler elektroteknik sembollerle gösterilir. Diğer yandan ayrışık yapıda, komponentlerin tamamı ayrı ayrı kaynaklardan gelmiş olma ihtimalleri de göz önünde tutulursa, birbirinden tamamen uzak yapıdadır. Kazançları, toleransları, kapasitansları tamamen farklıdır. İyi bir dizayncı öncelikle devre elemanlarını belli toleranslar dahilinde "match" etmek durumundadır. Bu tolerans ne kadar küçükse devre o kadar başarılıdır ve o kadar "hi-end" dir.
- Doğal olarak tümleşik yapı, fabrikanın belirlediği sabit bir devredir. Üzerinde modifikasyon yapılamaz, beğenmeseniz de dizayn öyledir. Ancak unutulmamalıdır ki gerek ST nin, gerek TI nin ve gerekse National Semiconductors'un yeteri kadar gelişmiş araştırma laboratuvarları vardır. Özellikle National, analog konusunda dünyadaki en iyi laboratuvarlara sahiptir
- Bir amplifikatör devresinde, giriş tamponları, voltaj amplifikasyonu, akım sürücülerinin sürülmesi, sabit akım ve gerilim kaynakları ve nihayetinde çıkış akım sürcüleri ne kadar kompleks dizayn edilmişse, sesin detayı o kadar iyi verilebilir. Bu genel bir kuraldır. Örneğin, kulaklık amplifikatörü dizaynımdaki 120 ohmluk sabit akım kaynağı ile yukarıdaki dizaynımdaki MOFSET ve saz arkadaşlarından oluşan sabit akım kaynağı arasında ciddi sound farklılıkları olacaktır. Çünkü tek bir direnç esasen sabit akım kaynağı değildir. Ayrşılık amplifikatörlerin %90 ında yer darlığı yüzünden bu tür detaylar es geçilir. Örneğin RAS100 de giriş eşleniklerinin sabit akım kaynakları birer dirençtir. Termal stabiliteleri dikkate alınmamıştır.
Bu arada bir yanlış anlaşılma olmaması bakımından: RAS100 benzeri yapıdaki amplifikatörlere göre oldukça iyi çalışan ve gerçekten HIFI speklerinde bir devredir. Ayrıca Nico usta çok yakın dostum ve gerçekten ÜSTAD dır.
Oysa LM3875 tünmdevresinin giriş eşleniklerinin sabit akım kaynakları şemada da görüldüğü gibi "ideal" dir. Yani aktif kontrol yapılmaktadır.
Bu durumda detayların daha iyi duyulması kaçınılmazdır.
Doğal olarak bu söylediklerim, çok ileri tekniklerle dizayn edilmiş komplike yapılardaki ayrışık amplifikatörlerle ilgili değildir.
Örneğin aşağıdaki linkte yalnızca 8W üretebilen ama gerçekten kaliteli bir dizayn var;
http://www.diyaudio.com/forums/attachme ... 1134298124
Dizayna dikkat edilirse, her aşamasının özenle tasarlanıp her kısımda dengelerin hesaplandığı açıktır. Eğer bu tür bir dizaynı gerçekten audio grade parçalarla yapmaya niyetliysen, her türlü yardımda bulunurum. Termostabilised Class A diyor dizayn eden arkadaş... Eminim sesi oldukça iyidir. Üstelik Class A..
Neyse sanırım konuyu fazla uzattık. Bence GC konusu tekrar ele alınabilir, RAS100 yapılabilir, bu yukarıdaki yapılabilir (widowmaker), veya basitçe benim SE dizayn yapılabilir. Karar senin... Şahsi tercihim GC işinin baştan ele alınması yönündedir. Bu arada LM serisi overture opamplar AB sınıfıdır.
Kolay gelsin.
.